Micron спільно з Intel починають виробництво 25 нм NAND Flash пам'яті

Сконцентрував інвестиції в розробку та дослідження флеш-пам'яті, Intel та Micron отримали можливість подвоювати щільність NAND-чипів приблизно кожні 18 місяців. Цей процес призводить до постійного зменшення розмірів продукції, підвищенню її місткості та зниженню виробничих витрат. З переходом на 25-нм процес ці компанії вдосконалюють виробничий цикл та закріплюються на ринку в якості інноваторів. Вони пропонують найменший розмір комірок пам'яті в індустрії.

В даний час ведуться поставки тестових зразків 8 ГБ модулів 25-нм NAND-пам'яті. Серійне виробництво планується у другому кварталі 2010 г. Пристрій використовує багаторівневу структуру комірок (MLC) зі збереженням у кожній двох біт даних. Нове рішення виконано у стандартному тонкому корпусі зі зменшеною відстанню між виводами (TSOP). У новому модулі число чипів, у порівнянні з рішеннями на базі техпроцесів попередніх поколінь, скорочено на 50%. Це дозволяє конструювати ще більш місткі рішення з меншим коефіцієнтом виробничих витрат.

Для збільшення місткості виробник може використовувати декілька модулів. Наприклад, один твердотільний накопичувач (SSD) місткістю 256 ГБ може мати 32 нових модуля замість 64.

www.micronblogs.com